창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RQ6C050UNTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RQ6C050UN | |
PCN 설계/사양 | TSMT Package Updates 24/Dec/2014 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 1.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 20V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 30m옴 @ 5A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 900pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 1.25W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-74, SOT-457 | |
공급 장치 패키지 | TSMT6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RQ6C050UNTRTR RQ6C050UNTRTR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RQ6C050UNTR | |
관련 링크 | RQ6C05, RQ6C050UNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
VJ0805D471KXAAR | 470pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D471KXAAR.pdf | ||
FDT1600N10ALZ | MOSFET N-CH 100V SOT-223-4 | FDT1600N10ALZ.pdf | ||
RNF18FTD576K | RES 576K OHM 1/8W 1% AXIAL | RNF18FTD576K.pdf | ||
6036A00A12 | 6036A00A12 ORIGINAL SMD or Through Hole | 6036A00A12.pdf | ||
2N6021 | 2N6021 ST/ON TO-126 | 2N6021.pdf | ||
FM24C08-C | FM24C08-C RIC QQ- | FM24C08-C.pdf | ||
P2003lm150k | P2003lm150k NIKOS TO252 | P2003lm150k.pdf | ||
PI90LV050LE | PI90LV050LE SOP TSSOP | PI90LV050LE.pdf | ||
HC90E | HC90E MOS SOP20 | HC90E.pdf | ||
E1321X1666G/HYB5118165BSJ5 | E1321X1666G/HYB5118165BSJ5 SIE SIMM | E1321X1666G/HYB5118165BSJ5.pdf | ||
BK2125HM121T(120UH ) | BK2125HM121T(120UH ) TAIYOU SMD or Through Hole | BK2125HM121T(120UH ).pdf | ||
AO8056316L | AO8056316L ORIGINAL SOP | AO8056316L.pdf |