홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RQ3E160ADTB

Rohm Semiconductor RQ3E160ADTB

RQ3E160ADTB
제조업체 부품 번호
RQ3E160ADTB
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 30V 16A 8HSMT
데이터 시트 다운로드
다운로드
RQ3E160ADTB 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 148.26240
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RQ3E160ADTB 재고가 있습니다. 우리는 Rohm Semiconductor 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Rohm Semiconductor 전자 부품 전문. RQ3E160ADTB 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RQ3E160ADTB가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RQ3E160ADTB 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RQ3E160ADTB 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RQ3E160ADTB
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RQ3E160AD
제품 교육 모듈MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C16A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs4.5m옴 @ 16A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs51nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds2550pF @ 15V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-전력VDFN
공급 장치 패키지8-HSMT(3.2x3)
표준 포장 3,000
다른 이름RQ3E160ADTBTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RQ3E160ADTB
관련 링크RQ3E16, RQ3E160ADTB 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
RQ3E160ADTB 의 관련 제품
10000pF 440VAC 세라믹 커패시터 Y5U(E) 방사형, 디스크 0.827" Dia(21.00mm) WYO103MCMYRCKR.pdf
RES SMD 3K OHM 5% 1/8W 0805 CR0805-JW-302ELF.pdf
RES SMD 226K OHM 0.1% 1/10W 0603 RT0603BRD07226KL.pdf
PCB80552-5-16H ORIGINAL QFP PCB80552-5-16H.pdf
ST7293M1/XDTR ST SOIC28 ST7293M1/XDTR.pdf
74LS138SN NS SO5.2 74LS138SN.pdf
6CE1000LL SANYO SMD or Through Hole 6CE1000LL.pdf
HF2024-183Y0R5-201 TDK DIP HF2024-183Y0R5-201.pdf
MAB8461P-W216 PHI DIP-28 MAB8461P-W216.pdf
STM32W-EXT ST SMD or Through Hole STM32W-EXT.pdf