창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ3E100MNTB1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RQ3E100MN Datasheet | |
| 제품 교육 모듈 | MOSFETs for DC-DC Converter & Load Switch Applications | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 12.3m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 9.9nC @ 10V | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 520pF @ 15V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-전력VDFN | |
| 공급 장치 패키지 | 8-HSMT(3.2x3) | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RQ3E100MNTB1TR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RQ3E100MNTB1 | |
| 관련 링크 | RQ3E100, RQ3E100MNTB1 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ASTMHTA-16.000MHZ-ZK-E-T | 16MHz LVCMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.63 V Enable/Disable | ASTMHTA-16.000MHZ-ZK-E-T.pdf | |
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![]() | 41A0008 | 41A0008 ORIGINAL TSSOP-16 | 41A0008.pdf | |
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![]() | M4A5-256/128-65YC | M4A5-256/128-65YC LATTICE PQFP208 | M4A5-256/128-65YC.pdf | |
![]() | AN78M09R | AN78M09R PANASONIC TO126-4 | AN78M09R.pdf | |
![]() | JM74115-V0A | JM74115-V0A FOXCONN SMD or Through Hole | JM74115-V0A.pdf | |
![]() | 16FZ-SM1-GAN-TB | 16FZ-SM1-GAN-TB JST SMD | 16FZ-SM1-GAN-TB.pdf | |
![]() | MIC2211-2.7/1.8YML | MIC2211-2.7/1.8YML MICREL MLF-10 | MIC2211-2.7/1.8YML.pdf | |
![]() | RPE2C1H182J2K1A01A | RPE2C1H182J2K1A01A MURATA SMD or Through Hole | RPE2C1H182J2K1A01A.pdf | |
![]() | BD6920FP-E2 | BD6920FP-E2 ROHM SMD or Through Hole | BD6920FP-E2.pdf | |
![]() | PAL20RA10JC | PAL20RA10JC AMP DIP | PAL20RA10JC.pdf |