창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ1E100XNTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RQ1E100XN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.7nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 550mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RQ1E100XNTR | |
| 관련 링크 | RQ1E10, RQ1E100XNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | DTC114YET1G | TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75 | DTC114YET1G.pdf | |
![]() | ERJ-T14J364U | RES SMD 360K OHM 5% 1/2W 1210 | ERJ-T14J364U.pdf | |
![]() | LRF2010-R025FW | RES SMD 0.025 OHM 1% 1W 2010 | LRF2010-R025FW.pdf | |
![]() | IDT92HD71B5X5NLG | IDT92HD71B5X5NLG IDT QFN48 | IDT92HD71B5X5NLG.pdf | |
![]() | M51221 | M51221 MIT SOP | M51221.pdf | |
![]() | M58735-077P | M58735-077P MIT DIP | M58735-077P.pdf | |
![]() | 54809-1775 | 54809-1775 molex SMD | 54809-1775.pdf | |
![]() | LP2992AIM533NOPB | LP2992AIM533NOPB NSC SMD or Through Hole | LP2992AIM533NOPB.pdf | |
![]() | S3F8274/8XZ | S3F8274/8XZ SAMSUNG SMD or Through Hole | S3F8274/8XZ.pdf | |
![]() | MM5Z4V7ST1GOSCT | MM5Z4V7ST1GOSCT ORIGIN CAN8 | MM5Z4V7ST1GOSCT.pdf | |
![]() | DTZ30B TT11 | DTZ30B TT11 ROHM SOD323 | DTZ30B TT11.pdf | |
![]() | TLC7201QD | TLC7201QD TI SOP8 | TLC7201QD.pdf |