창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RQ1E100XNTR | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RQ1E100XN | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 10A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 10.5m옴 @ 10A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12.7nC(5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1000pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 550mW | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SMD, 평면 리드 | |
| 공급 장치 패키지 | TSMT8 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RQ1E100XNTR | |
| 관련 링크 | RQ1E10, RQ1E100XNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | RG2012V-1431-W-T1 | RES SMD 1.43KOHM 0.05% 1/8W 0805 | RG2012V-1431-W-T1.pdf | |
![]() | EXB-2HV913JV | RES ARRAY 8 RES 91K OHM 1506 | EXB-2HV913JV.pdf | |
![]() | IRFR1N60 | IRFR1N60 FIRST TO-252 | IRFR1N60.pdf | |
![]() | NTH5G1M33B103J04TH | NTH5G1M33B103J04TH MuRata 0603-10K | NTH5G1M33B103J04TH.pdf | |
![]() | AKX/S6BX7 | AKX/S6BX7 INTERSIL MSOP-8 | AKX/S6BX7.pdf | |
![]() | MP8318 | MP8318 ANALOGIC SMD or Through Hole | MP8318.pdf | |
![]() | 534-7E05NC-151M | 534-7E05NC-151M MOLEX SMD or Through Hole | 534-7E05NC-151M.pdf | |
![]() | LT1099CSW | LT1099CSW LT SMD | LT1099CSW.pdf | |
![]() | 3091064 | 3091064 MOLEX SMD or Through Hole | 3091064.pdf | |
![]() | DP8482F | DP8482F NS DIP16 | DP8482F.pdf | |
![]() | 4F21 | 4F21 ST DIP8 | 4F21.pdf |