Rohm Semiconductor RP1E090RPTR

RP1E090RPTR
제조업체 부품 번호
RP1E090RPTR
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET P-CH 30V 9A MPT6
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내부 부품 번호EIS-RP1E090RPTR
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RP1E090RP
주요제품MOSFET ECOMOS
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장컷 테이프(CT)
부품 현황단종
FET 유형MOSFET P-Chan, 금속 산화물
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C9A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs16.9m옴 @ 9A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)2.5V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs30nC(5V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds3000pF @ 10V
전력 - 최대2W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스6-SMD, 플랫 리드(Lead)
공급 장치 패키지MPT6
표준 포장 1
다른 이름RP1E090RPCT
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RP1E090RPTR
관련 링크RP1E09, RP1E090RPTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통
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