창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RNMF12FTC13R7 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RNF, RNMF Series Resistor Packaging Spec | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
PCN 부품 번호 | Global Part Number 9/Aug/2010 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 스루홀 저항기 | |
제조업체 | Stackpole Electronics Inc. | |
계열 | RNMF | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 13.7 | |
허용 오차 | ±1% | |
전력(와트) | 0.5W, 1/2W | |
구성 | 메탈 필름 | |
특징 | 난연코팅, 안전 | |
온도 계수 | ±50ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 축방향 | |
공급 장치 패키지 | 축방향 | |
크기/치수 | 0.093" Dia x 0.250" L(2.35mm x 6.35mm) | |
높이 | - | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
다른 이름 | RNM 1/2 T2 13.7 1% R RNM 1/2 T2 13.7 1% R-ND RNM1/2T213.71%R RNM1/2T213.71%R-ND RNM1/2T213.7FR RNM1/2T213.7FR-ND | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RNMF12FTC13R7 | |
관련 링크 | RNMF12F, RNMF12FTC13R7 데이터 시트, Stackpole Electronics Inc. 에이전트 유통 |
VJ0805D121GLCAJ | 120pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D121GLCAJ.pdf | ||
2225AA222JAT1A | 2200pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 2225(5763 미터법) 0.225" L x 0.250" W(5.72mm x 6.35mm) | 2225AA222JAT1A.pdf | ||
TACR685K006X | 6.8µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 0805 (2012 Metric) 5 Ohm 0.079" L x 0.053" W (2.00mm x 1.35mm) | TACR685K006X.pdf | ||
416F32013ADR | 32MHz ±10ppm 수정 18pF 200옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32013ADR.pdf | ||
416F240X2CKT | 24MHz ±15ppm 수정 8pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F240X2CKT.pdf | ||
SFH6186-4X001T | Optoisolator Transistor Output 5300Vrms 1 Channel 4-SMD | SFH6186-4X001T.pdf | ||
MML20242HT1 | RF Amplifier IC LTE, TDS-CDMA, W-CDMA 1.4GHz ~ 2.8GHz 12-QFN (3x3) | MML20242HT1.pdf | ||
TCL-A11V01-TO | TCL-A11V01-TO TOSHIBA DIP42 | TCL-A11V01-TO.pdf | ||
NPC8251 | NPC8251 NPC DIP | NPC8251.pdf | ||
MD2202-D16-P | MD2202-D16-P M-SYSTEMS DIP32 | MD2202-D16-P.pdf | ||
PFD142BL | PFD142BL NEC DIPSOP | PFD142BL.pdf |