창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN4985,LF(CT | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN4985 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 2.2k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100µA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz, 200MHz | |
전력 - 최대 | 200mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | |
공급 장치 패키지 | US6 | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RN4985(T5L,F,T) RN4985(T5LFT)TR RN4985(T5LFT)TR-ND RN4985,LF(CB RN4985LF(CBTR RN4985LF(CBTR-ND RN4985LF(CT RN4985LF(CTTR RN4985T5LFT | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN4985,LF(CT | |
관련 링크 | RN4985,, RN4985,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
EE-L105-X | PHOTOMICROSENSOR W/BUILT IN AMP | EE-L105-X.pdf | ||
L-07C22NJV6T | 22nH Unshielded Multilayer Inductor 200mA 800 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | L-07C22NJV6T.pdf | ||
RC1608J684CS | RES SMD 680K OHM 5% 1/10W 0603 | RC1608J684CS.pdf | ||
CMF5083R800FHEK | RES 83.8 OHM 1/4W 1% AXIAL | CMF5083R800FHEK.pdf | ||
ELXQ181VSN821MR30S | ELXQ181VSN821MR30S Chemi-con NA | ELXQ181VSN821MR30S.pdf | ||
A625308AM-70 | A625308AM-70 ORIGINAL SOP28 | A625308AM-70.pdf | ||
LT1241MJ8/883 | LT1241MJ8/883 LT CDIP | LT1241MJ8/883.pdf | ||
R76UN1220DQ00K | R76UN1220DQ00K ARCOTRONICS DIP | R76UN1220DQ00K.pdf | ||
MMS1025X8M25 | MMS1025X8M25 ORIGINAL SMD or Through Hole | MMS1025X8M25.pdf | ||
SG-8002CA MP BLANK | SG-8002CA MP BLANK EPS SMD or Through Hole | SG-8002CA MP BLANK.pdf | ||
PWB4803MD-6W | PWB4803MD-6W MORNSUN DIP | PWB4803MD-6W.pdf | ||
2W02M/RC203 | 2W02M/RC203 ORIGINAL RC-2 | 2W02M/RC203.pdf |