창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN4982FE,LF(CB | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN4982FE | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | 1 NPN, 1 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 10k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 100mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
| 공급 장치 패키지 | ES6 | |
| 표준 포장 | 4,000 | |
| 다른 이름 | RN4982FE(T5L,F,T) RN4982FE(T5LFT)TR RN4982FE(T5LFT)TR-ND RN4982FE,LF(CT RN4982FELF(CBTR RN4982FELF(CTTR RN4982FELF(CTTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN4982FE,LF(CB | |
| 관련 링크 | RN4982FE, RN4982FE,LF(CB 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | VJ1808Y682JBGAT4X | 6800pF 1000V(1kV) 세라믹 커패시터 X7R 1808(4520 미터법) 0.186" L x 0.080" W(4.72mm x 2.03mm) | VJ1808Y682JBGAT4X.pdf | |
![]() | 1N2994B | DIODE ZENER 45V 10W DO213AA | 1N2994B.pdf | |
![]() | CR0402-FX-9533GLF | RES SMD 953K OHM 1% 1/16W 0402 | CR0402-FX-9533GLF.pdf | |
![]() | TUSB2046BIRHBR | TUSB2046BIRHBR TI SMD or Through Hole | TUSB2046BIRHBR.pdf | |
![]() | SCR1974 | SCR1974 ORIGINAL DIP263 | SCR1974.pdf | |
![]() | IDT29FCT52AJ | IDT29FCT52AJ IDT PLCC28 | IDT29FCT52AJ.pdf | |
![]() | PCD0403MT4R7 | PCD0403MT4R7 Stackpole SMD | PCD0403MT4R7.pdf | |
![]() | MIP2E90MY | MIP2E90MY ORIGINAL TO-220 | MIP2E90MY.pdf | |
![]() | EL5293ES | EL5293ES ELANTEC SMD | EL5293ES.pdf | |
![]() | S21ME6WI | S21ME6WI SHARP SMD or Through Hole | S21ME6WI.pdf | |
![]() | OPI1113 | OPI1113 TRW DIP-6 | OPI1113.pdf | |
![]() | BAT854S | BAT854S NXP SOT-23 | BAT854S.pdf |