창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN2911FE(TE85L,F) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN2910FE-11FE | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 PNP - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 10k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 200MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | RN2911FE(TE85LF)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN2911FE(TE85L,F) | |
관련 링크 | RN2911FE(T, RN2911FE(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
RG1608N-431-P-T1 | RES SMD 430 OHM 0.02% 1/10W 0603 | RG1608N-431-P-T1.pdf | ||
CMF602K9400BEEB | RES 2.94K OHM 1W .1% AXIAL | CMF602K9400BEEB.pdf | ||
RN5RK322A-TR | RN5RK322A-TR RICOH SOT153 | RN5RK322A-TR.pdf | ||
2624D | 2624D JRC DIP | 2624D.pdf | ||
LTC124EUB TL | LTC124EUB TL ROHM SOT323 | LTC124EUB TL.pdf | ||
LV5710GP | LV5710GP SANYO VCT20 | LV5710GP.pdf | ||
FF14-4A-R11B | FF14-4A-R11B DDK SOP | FF14-4A-R11B.pdf | ||
H74B-6006-H876 | H74B-6006-H876 RELAIS SMD or Through Hole | H74B-6006-H876.pdf | ||
0402B101M160NT | 0402B101M160NT ORIGINAL SMD or Through Hole | 0402B101M160NT.pdf | ||
ECQV1H123JL2 | ECQV1H123JL2 ORIGINAL SMD or Through Hole | ECQV1H123JL2.pdf | ||
H11SADXM_5697 | H11SADXM_5697 FAIRCHIL NA | H11SADXM_5697.pdf | ||
FCCD151DC | FCCD151DC LORAL CDIP28 | FCCD151DC.pdf |