홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » RN2317(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage RN2317(TE85L,F)

RN2317(TE85L,F)
제조업체 부품 번호
RN2317(TE85L,F)
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN2317(TE85L,F) 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 32.12352
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN2317(TE85L,F) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN2317(TE85L,F) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN2317(TE85L,F)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN2317(TE85L,F) 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN2317(TE85L,F) 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN2317(TE85L,F)
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN2314-18
제품 교육 모듈General Purpose Discrete Items
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)4.7k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce30 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-70, SOT-323
공급 장치 패키지USM
표준 포장 3,000
다른 이름RN2317(TE85LF)
RN2317(TE85LF)-ND
RN2317(TE85LF)TR
RN2317TE85LF
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN2317(TE85L,F)
관련 링크RN2317(TE, RN2317(TE85L,F) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN2317(TE85L,F) 의 관련 제품
2.2µF 16V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C225M4RACTU.pdf
RES SMD 1.33K OHM 1% 1.5W 2512 CRCW25121K33FKEGHP.pdf
0805CPS272J016E07 EPCOS SMD 0805CPS272J016E07.pdf
MC74HC14AN. ON DIP MC74HC14AN..pdf
ST5080D ST SMD ST5080D.pdf
BU-61740B3-202 DDC BGA BU-61740B3-202.pdf
PEB4264 INFINEON SOP PEB4264.pdf
DSR-06 ORIGINAL SMD or Through Hole DSR-06.pdf
PH9146 M/A-COM N A PH9146.pdf
EL7630IWTZ INTERSIL SOT23-5 EL7630IWTZ.pdf