홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 » RN2102,LF(CT

Toshiba Semiconductor and Storage RN2102,LF(CT

RN2102,LF(CT
제조업체 부품 번호
RN2102,LF(CT
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
간단한 설명
TRANS PREBIAS PNP 0.1W SSM
데이터 시트 다운로드
다운로드
RN2102,LF(CT 가격 및 조달

가능 수량

11550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 59.67567
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RN2102,LF(CT 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN2102,LF(CT 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN2102,LF(CT가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RN2102,LF(CT 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RN2102,LF(CT 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RN2102,LF(CT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN210(1-6)
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형PNP - 사전 바이어스됨
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)10k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)10k
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce50 @ 10mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)500nA
주파수 - 트랜지션200MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-75, SOT-416
공급 장치 패키지SSM
표준 포장 3,000
다른 이름RN2102(T5L,F,T)
RN2102(T5LFT)TR
RN2102(T5LFT)TR-ND
RN2102,LF(CB
RN2102LF(CTTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN2102,LF(CT
관련 링크RN2102,, RN2102,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
RN2102,LF(CT 의 관련 제품
TVS DIODE 30VWM 48.4VC SMB SZ1SMB30CAT3G.pdf
323005B00000G ORIGINAL CALL 323005B00000G.pdf
A2S56D40BTP-75 PSC TSOP66 A2S56D40BTP-75.pdf
C847U-4D21 TOSHIBA QFP44 C847U-4D21.pdf
3040LOZTQOBQO INTEL BGA 3040LOZTQOBQO.pdf
RH3B-UL-AC220 IDEC SMD or Through Hole RH3B-UL-AC220.pdf
53671-0604 molex SMD or Through Hole 53671-0604.pdf
STN1NB80-TR ST SOT-223 STN1NB80-TR.pdf
P2800EC TECCOR TO-92 P2800EC.pdf
202/ ORIGINAL SMD or Through Hole 202/.pdf
GF06WB502M TOCOS SMD or Through Hole GF06WB502M.pdf