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Toshiba Semiconductor and Storage RN1910FE,LF(CT

RN1910FE,LF(CT
제조업체 부품 번호
RN1910FE,LF(CT
제조업 자
제품 카테고리
트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
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TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6
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내부 부품 번호EIS-RN1910FE,LF(CT
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RN1910,11
종류이산 소자 반도체 제품
제품군트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드
제조업체Toshiba Semiconductor and Storage
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
트랜지스터 유형2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중)
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)100mA
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)50V
저항기 - 베이스(R1)(옴)4.7k
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴)-
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce120 @ 1mA, 5V
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic300mV @ 250µA, 5mA
전류 - 콜렉터 차단(최대)100nA(ICBO)
주파수 - 트랜지션250MHz
전력 - 최대100mW
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SOT-563, SOT-666
공급 장치 패키지ES6
표준 포장 4,000
다른 이름RN1910FE,LF(CB
RN1910FELF(CTTR
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RN1910FE,LF(CT
관련 링크RN1910FE, RN1910FE,LF(CT 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통
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