창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RN1910FE(T5L,F,T) | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RN1910,11 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | 트랜지스터(BJT) - 어레이, 프리바이어스드 | |
제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
트랜지스터 유형 | 2 NPN - 사전 바이어싱됨(이중) | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
전력 - 최대 | 100mW | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SOT-563, SOT-666 | |
공급 장치 패키지 | ES6 | |
표준 포장 | 4,000 | |
다른 이름 | RN1910FE(T5LFT)TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RN1910FE(T5L,F,T) | |
관련 링크 | RN1910FE(T, RN1910FE(T5L,F,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 |
BAS16LT3G | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | BAS16LT3G.pdf | ||
MX6AWT-H1-R250-0007B5 | LED Lighting XLamp® MX-6 White 3.3V 300mA 120° 2-SMD, Gull Wing, Exposed Pad | MX6AWT-H1-R250-0007B5.pdf | ||
TC164-JR-0762KL | RES ARRAY 4 RES 62K OHM 1206 | TC164-JR-0762KL.pdf | ||
FM32L278-G | FM32L278-G FM SMD or Through Hole | FM32L278-G.pdf | ||
A1-5320-8 | A1-5320-8 ORIGINAL DIP | A1-5320-8.pdf | ||
LEJ6040C | LEJ6040C LEGERITY QFN | LEJ6040C.pdf | ||
501017-0248 | 501017-0248 MOLEX SMD or Through Hole | 501017-0248.pdf | ||
KTC801UGR-RTH | KTC801UGR-RTH KEC DIPSMT | KTC801UGR-RTH.pdf | ||
UC383A | UC383A ST/TI SOP-8 | UC383A.pdf | ||
DAC8801IDRBR | DAC8801IDRBR TI SMD or Through Hole | DAC8801IDRBR.pdf | ||
5CS1K8-5% | 5CS1K8-5% ATE SMD or Through Hole | 5CS1K8-5%.pdf |