창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1406,LF | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1401-06 | |
| 제품 교육 모듈 | General Purpose Discrete Items | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 4.7k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | 47k | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 500nA | |
| 주파수 - 트랜지션 | 250MHz | |
| 전력 - 최대 | 200mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| 공급 장치 패키지 | S-Mini | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 다른 이름 | RN1406,LF(B RN1406,LF(T RN1406LFTR RN1406S,LF RN1406SLF RN1406SLFTR RN1406SLFTR-ND | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1406,LF | |
| 관련 링크 | RN140, RN1406,LF 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
![]() | AC1210FR-0722R1L | RES SMD 22.1 OHM 1% 1/2W 1210 | AC1210FR-0722R1L.pdf | |
![]() | PLT1206Z4810LBTS | RES SMD 481 OHM 0.01% 0.4W 1206 | PLT1206Z4810LBTS.pdf | |
![]() | SLA502BF1PA | SLA502BF1PA EPSON SMD or Through Hole | SLA502BF1PA.pdf | |
![]() | 2N564 | 2N564 MOT CAN | 2N564.pdf | |
![]() | 216MFA4ALA12FK(200M)(RS482M) | 216MFA4ALA12FK(200M)(RS482M) ORIGINAL BGA | 216MFA4ALA12FK(200M)(RS482M).pdf | |
![]() | DS25BR204TSQX | DS25BR204TSQX NS LLP | DS25BR204TSQX.pdf | |
![]() | MBH65-100 | MBH65-100 ORIGINAL TO-3P | MBH65-100.pdf | |
![]() | 201CHA6R8CVLETK055 | 201CHA6R8CVLETK055 ORIGINAL SMD or Through Hole | 201CHA6R8CVLETK055.pdf | |
![]() | MAX4074AOESA | MAX4074AOESA MAXIM SOP-8 | MAX4074AOESA.pdf | |
![]() | RN73C2ETDB6800 | RN73C2ETDB6800 ORIGINAL SMD or Through Hole | RN73C2ETDB6800.pdf | |
![]() | 215CAEAKA26FG/RV530 | 215CAEAKA26FG/RV530 ATI BGA | 215CAEAKA26FG/RV530.pdf |