Toshiba Semiconductor and Storage RN1131MFV(TL3,T)
- 제조업체 부품 번호
- RN1131MFV(TL3,T)
- 제조업 자
- Toshiba Semiconductor and Storage
- 제품 카테고리
- 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드
- 간단한 설명
- TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- 데이터 시트 다운로드
- 다운로드
RN1131MFV(TL3,T) 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
배송 오늘
창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 23.00538
- 우리의 가격
- 이메일로 견적
EIS에는 RN1131MFV(TL3,T) 재고가 있습니다. 우리는 Toshiba Semiconductor and Storage 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Toshiba Semiconductor and Storage 전자 부품 전문. RN1131MFV(TL3,T) 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RN1131MFV(TL3,T)가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
- RN1131MFV(TL3,T) 주문 프로세스
- 문의 양식에 추가
- 견적 요청
- 우리는 24 시간 이내에 회신
- 당신은 순서를 확인
- 지불
- 주문 발송
RN1131MFV(TL3,T) 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RN1131MFV(TL3,T) | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RN1131,1132MFV | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 트랜지스터(BJT) - 단일, 프리바이어스드 | |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 트랜지스터 유형 | NPN - 사전 바이어스됨 | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 100mA | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 50V | |
| 저항기 - 베이스(R1)(옴) | 100k | |
| 저항기 - 방출기 베이스(R2)(옴) | - | |
| DC 전류 이득(hFE)(최소) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | |
| Vce 포화(최대) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | |
| 전류 - 콜렉터 차단(최대) | 100nA(ICBO) | |
| 주파수 - 트랜지션 | - | |
| 전력 - 최대 | 150mW | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SOT-723 | |
| 공급 장치 패키지 | VESM | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | RN1131MFV(TL3T)TR RN1131MFVTL3T | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RN1131MFV(TL3,T) | |
| 관련 링크 | RN1131MFV, RN1131MFV(TL3,T) 데이터 시트, Toshiba Semiconductor and Storage 에이전트 유통 | |
RN1131MFV(TL3,T) 의 관련 제품
 | VJ0402D1R4DLCAJ | 1.4pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0402(1005 미터법) 0.040" L x 0.020" W(1.02mm x 0.51mm) | VJ0402D1R4DLCAJ.pdf | |
 | MCM01-010DD240D-F | 24pF Mica Capacitor 500V Nonstandard SMD 0.500" L x 0.400" W (12.70mm x 10.16mm) | MCM01-010DD240D-F.pdf | |
-3.20-mm-x-2.50-mm.jpg) | DSC1121CE5-024.5670 | 24.567MHz CMOS MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 35mA Enable/Disable | DSC1121CE5-024.5670.pdf | |
 | MBRF50035R | DIODE SCHOTTKY 35V 250A TO244AB | MBRF50035R.pdf | |
 | IRFSL7434PBF | MOSFET N-CH 40V 195A TO262 | IRFSL7434PBF.pdf | |
.jpg) | AF1210JR-07620RL | RES SMD 620 OHM 5% 1/2W 1210 | AF1210JR-07620RL.pdf | |
 | P51-200-S-E-I36-5V-000-000 | Pressure Sensor 200 PSI (1378.95 kPa) Sealed Gauge Male - 3/8" (9.52mm) UNF 1 V ~ 5 V Cylinder | P51-200-S-E-I36-5V-000-000.pdf | |
| ICD2042SC-6/8 | ICD2042SC-6/8 ICDESIGNS SOP | ICD2042SC-6/8.pdf | |
| ABEG-ET-DP103-G | ABEG-ET-DP103-G Quatech SMD or Through Hole | ABEG-ET-DP103-G.pdf | |
| 338-6523/11484-13 | 338-6523/11484-13 ROCKWELL DIP-40 | 338-6523/11484-13.pdf | |
| 2SA1162-GR(SG) | 2SA1162-GR(SG) TOSHIBA SOT-23 | 2SA1162-GR(SG).pdf | |
| 27HC1616 | 27HC1616 BZD DIP | 27HC1616.pdf |