창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJP60D0DPM-00#T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJP60D0DPM | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | - | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 45A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 22A | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 스위칭 에너지 | - | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 45nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 35ns/90ns | |
| 테스트 조건 | 300V, 22A, 5 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 패키지/케이스 | TO-3PFM, SC-93-3 | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-3PFM | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 다른 이름 | RJP60D0DPM00T1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJP60D0DPM-00#T1 | |
| 관련 링크 | RJP60D0DP, RJP60D0DPM-00#T1 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | 416F32035IST | 32MHz ±30ppm 수정 시리즈 200옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F32035IST.pdf | |
![]() | ELL-8TP3R3NB | 3.3µH Shielded Wirewound Inductor 4.2A 13 mOhm Nonstandard | ELL-8TP3R3NB.pdf | |
![]() | ERA-3APB621V | RES SMD 620 OHM 0.1% 1/10W 0603 | ERA-3APB621V.pdf | |
![]() | CRA2512-JZ-R034ELF | RES SMD 0.034 OHM 5% 3W 2512 | CRA2512-JZ-R034ELF.pdf | |
![]() | WW12JT680R | RES 680 OHM 0.4W 5% AXIAL | WW12JT680R.pdf | |
![]() | OG-FL-18X1W | OG-FL-18X1W OneGreen SMD or Through Hole | OG-FL-18X1W.pdf | |
![]() | 8E2TX06 | 8E2TX06 ORIGINAL TO-220-2 | 8E2TX06.pdf | |
![]() | NJE1100 | NJE1100 MOT TO-220 | NJE1100.pdf | |
![]() | F2676VFC33V | F2676VFC33V ORIGINAL QFP | F2676VFC33V.pdf | |
![]() | 2SK365-BL | 2SK365-BL ORIGINAL TO-92S | 2SK365-BL.pdf | |
![]() | ASW2K10 | ASW2K10 IDECCORPORATION SMD or Through Hole | ASW2K10.pdf | |
![]() | RK73BW3ATTD182J | RK73BW3ATTD182J KOA SMD | RK73BW3ATTD182J.pdf |