창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJP5001APP-M0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 3(168시간) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJP5001APP-M0 | |
특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | - | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 500V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | - | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 300A | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 10V @ 12V, 300A | |
전력 - 최대 | 45W | |
스위칭 에너지 | - | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | - | |
Td(온/오프) @ 25°C | 100ns/200ns | |
테스트 조건 | 300V, 300A, 30옴, 12V | |
역회복 시간(trr) | - | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220FL | |
표준 포장 | 1 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJP5001APP-M0#T2 | |
관련 링크 | RJP5001AP, RJP5001APP-M0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 08055J1R7BBTTR | 1.7pF Thin Film Capacitor 50V 0805 (2012 Metric) 0.079" L x 0.050" W (2.01mm x 1.27mm) | 08055J1R7BBTTR.pdf | |
![]() | 416F24025CLR | 24MHz ±20ppm 수정 12pF 200옴 -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F24025CLR.pdf | |
![]() | 416F48011ADR | 48MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 416F48011ADR.pdf | |
![]() | CMF5518R200DHEB | RES 18.2 OHM 1/2W 0.5% AXIAL | CMF5518R200DHEB.pdf | |
![]() | L2A0817 | L2A0817 n/a BGA | L2A0817.pdf | |
![]() | S1D10605D04B000 | S1D10605D04B000 EPSON NA | S1D10605D04B000.pdf | |
![]() | KFG5616UIA-PIB5 | KFG5616UIA-PIB5 SAMSUNG TSSOP | KFG5616UIA-PIB5.pdf | |
![]() | MC68VZ328VF33V-5K85C | MC68VZ328VF33V-5K85C MOTOROLA BGA | MC68VZ328VF33V-5K85C.pdf | |
![]() | PBL38611/2 R2 | PBL38611/2 R2 ERISSON SMD or Through Hole | PBL38611/2 R2.pdf | |
![]() | NTCG104BH103J | NTCG104BH103J TDK SMD or Through Hole | NTCG104BH103J.pdf | |
![]() | 3SK293/TE85L.F | 3SK293/TE85L.F TOSHIBA SMD or Through Hole | 3SK293/TE85L.F.pdf | |
![]() | GS90A12-P1M | GS90A12-P1M MEANWELL SMD or Through Hole | GS90A12-P1M.pdf |