창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJP020N06T100 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJP020N06 | |
제품 교육 모듈 | MOSFETs | |
카탈로그 페이지 | 1632 (KR2011-KO PDF) | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 60V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 240m옴 @ 2A, 4.5V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 1.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 10nC(4V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 160pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 500mW | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | TO-243AA | |
공급 장치 패키지 | MPT3 | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RJP020N06T100TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJP020N06T100 | |
관련 링크 | RJP020N, RJP020N06T100 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
SR152A101KAR | 100pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR152A101KAR.pdf | ||
TL034AIN * | TL034AIN * TIS Call | TL034AIN *.pdf | ||
iSP2032VE135LT44 | iSP2032VE135LT44 LATTICE QFP-44L | iSP2032VE135LT44.pdf | ||
IRFI840 | IRFI840 ORIGINAL TO-220 | IRFI840.pdf | ||
K7A203600AQC-16 | K7A203600AQC-16 MOLEX PLCC | K7A203600AQC-16.pdf | ||
AT27C512-15DI | AT27C512-15DI ORIGINAL DIP | AT27C512-15DI.pdf | ||
CS5-02GO3 | CS5-02GO3 ORIGINAL MODULE | CS5-02GO3.pdf | ||
AD9979BCPZRL | AD9979BCPZRL ADI SMD or Through Hole | AD9979BCPZRL.pdf | ||
E15UW24R12 | E15UW24R12 DEUTRONIC DIP | E15UW24R12.pdf | ||
GE04N70B-A | GE04N70B-A GTM TO-220 | GE04N70B-A.pdf | ||
IDT7202S80J | IDT7202S80J IDT PLCC-32 | IDT7202S80J.pdf | ||
K4R8869E-GCT9 | K4R8869E-GCT9 ORIGINAL SMD or Through Hole | K4R8869E-GCT9.pdf |