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Renesas Electronics America RJM0306JSP-01#J0

RJM0306JSP-01#J0
제조업체 부품 번호
RJM0306JSP-01#J0
제조업 자
제품 카테고리
FET - 어레이
간단한 설명
MOSFET 2N/2P-CH 30V 3.5A 8-SOP
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내부 부품 번호EIS-RJM0306JSP-01#J0
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
표준 포장 2,500
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 어레이
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형2 N-Chan 및 2 P -Chan(H 브리지)
FET 특징논리 레벨 게이트, 4V 구동
드레인 - 소스 전압(Vdss)30V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C3.5A
Rds On(최대) @ Id, Vgs65m옴 @ 2A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds290pF @ 10V
전력 - 최대2.2W
작동 온도-
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭)
공급 장치 패키지8-SOP
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RJM0306JSP-01#J0
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