창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK60S7DPP-E0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK60S7DPP-E0 | |
주요제품 | SuperJunction (SJ) MOSFETs | |
PCN 단종/ EOL | Multiple Devices 15/Aug/2013 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 단종 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 초접합 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 30A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 125m옴 @ 15A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 39nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2300pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 34.7W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
표준 포장 | 100 | |
다른 이름 | RJK60S7DPPE0T2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK60S7DPP-E0#T2 | |
관련 링크 | RJK60S7DP, RJK60S7DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
DB2J50100L | DIODE SCHOTTKY 50V 200MA SMINI2 | DB2J50100L.pdf | ||
Y00274R00000B9L | RES CHAS MNT 4 OHM 0.1% 7W | Y00274R00000B9L.pdf | ||
CRCW08050000Z0EB | RES SMD 0.0 OHM JUMPER 1/8W 0805 | CRCW08050000Z0EB.pdf | ||
MX7575JCWE | MX7575JCWE MAXIM SOP18 | MX7575JCWE.pdf | ||
TC05BCZM | TC05BCZM TEICOM TO-92 | TC05BCZM.pdf | ||
57C291C-35TMB | 57C291C-35TMB WSI CDIP24 | 57C291C-35TMB.pdf | ||
5000-6P-31C | 5000-6P-31C HINC SMD or Through Hole | 5000-6P-31C.pdf | ||
S5D0127XO1-QO | S5D0127XO1-QO SAMSUNG QFP-100 | S5D0127XO1-QO.pdf | ||
AM485DX5 | AM485DX5 AMD QFP | AM485DX5.pdf | ||
HB-4M2010-301JT | HB-4M2010-301JT Cer SMD | HB-4M2010-301JT.pdf |