창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK6006DPP-E0#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK6006DPP-E0#T2 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 5A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 1.6옴 @ 2.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 19nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 600pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 29W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK6006DPP-E0#T2 | |
| 관련 링크 | RJK6006DP, RJK6006DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | 445A3XD25M00000 | 25MHz ±30ppm 수정 18pF 40옴 -10°C ~ 60°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD | 445A3XD25M00000.pdf | |
![]() | SIT5001AI-8E-33E0-62.210000T | OSC XO 3.3V 62.21MHZ OE | SIT5001AI-8E-33E0-62.210000T.pdf | |
![]() | RC0201JR-07560RL | RES SMD 560 OHM 5% 1/20W 0201 | RC0201JR-07560RL.pdf | |
![]() | CW0102K150KS70 | RES 2.15K OHM 13W 10% AXIAL | CW0102K150KS70.pdf | |
![]() | WR12W2R10FTL | WR12W2R10FTL WALSIN SMD or Through Hole | WR12W2R10FTL.pdf | |
![]() | 15J-K 3KV | 15J-K 3KV ORIGINAL SMD or Through Hole | 15J-K 3KV.pdf | |
![]() | 18957-E-16 | 18957-E-16 AD SMD or Through Hole | 18957-E-16.pdf | |
![]() | 215W100AF12 | 215W100AF12 ATI BGA | 215W100AF12.pdf | |
![]() | BAP50- 04W | BAP50- 04W PHILIPS SMD or Through Hole | BAP50- 04W.pdf | |
![]() | 72V821L15TF | 72V821L15TF IDT QFP | 72V821L15TF.pdf | |
![]() | MSM6588GSV1KR1 | MSM6588GSV1KR1 OKI SMD or Through Hole | MSM6588GSV1KR1.pdf |