창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK5013DPP-E0#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK5013DPP-E0#T2 | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 500V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 14A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 465m옴 @ 7A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 38nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1450pF @ 25V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK5013DPP-E0#T2 | |
| 관련 링크 | RJK5013DP, RJK5013DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | T491C226K006AT | 22µF Molded Tantalum Capacitors 6.3V 2413 (6032 Metric) 1.8 Ohm 0.236" L x 0.126" W (6.00mm x 3.20mm) | T491C226K006AT.pdf | |
![]() | 0322006.H | FUSE CERAMIC 6A 250VAC 65VDC 3AB | 0322006.H.pdf | |
![]() | SRR1210A-821M | 820µH Shielded Inductor 850mA 1.32 Ohm Max Nonstandard | SRR1210A-821M.pdf | |
![]() | RMCF1206FG200K | RES SMD 200K OHM 1% 1/4W 1206 | RMCF1206FG200K.pdf | |
![]() | PWR1913WR050FE | RES SMD 0.05 OHM 1% 1/2W 1913 | PWR1913WR050FE.pdf | |
![]() | STD9003 | STD9003 ST TO-252251 | STD9003.pdf | |
![]() | MB25H0211B | MB25H0211B ST PLCC | MB25H0211B.pdf | |
![]() | EPM9320ARC209-20 | EPM9320ARC209-20 ALTERA QFP-209 | EPM9320ARC209-20.pdf | |
![]() | C1005C0G1E200JT000P | C1005C0G1E200JT000P TDK SMD or Through Hole | C1005C0G1E200JT000P.pdf | |
![]() | LTEX | LTEX LT SOT23-5 | LTEX.pdf | |
![]() | ST72F324K4B5 | ST72F324K4B5 ST SDIP32 | ST72F324K4B5.pdf | |
![]() | TC9496CJ | TC9496CJ TOSHIBA DIP8 | TC9496CJ.pdf |