Renesas Electronics America RJK1003DPN-E0#T2
- 제조업체 부품 번호
- RJK1003DPN-E0#T2
- 제조업 자
- Renesas Electronics America
- 제품 카테고리
- FET - 단일
- 간단한 설명
- MOSFET N-CH 100V 50A TO220
- 데이터 시트 다운로드
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RJK1003DPN-E0#T2 가격 및 조달
가능 수량
8550 조각
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날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
- 시장 가격
- ₩ 3,484.00000
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RJK1003DPN-E0#T2 매개 변수
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK1003DPN-E0#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK1003DPN-E0#T2 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 100V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 50A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 11m옴 @ 25A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 59nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 125W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220AB | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK1003DPN-E0#T2 | |
| 관련 링크 | RJK1003DP, RJK1003DPN-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
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