창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK0703DPP-E0#T2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK0703DPP-E0#T2 | |
| PCN 조립/원산지 | Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013 | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 튜브 | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 75V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 70A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 6.7m옴 @ 35A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 56nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 4150pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 25W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FP | |
| 표준 포장 | 1 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK0703DPP-E0#T2 | |
| 관련 링크 | RJK0703DP, RJK0703DPP-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0603D750KLAAR | 75pF 50V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | VJ0603D750KLAAR.pdf | |
![]() | MHQ1005P7N5HT000 | 7.5nH Unshielded Multilayer Inductor 600mA 160 mOhm Max 0402 (1005 Metric) | MHQ1005P7N5HT000.pdf | |
![]() | 315000230206 | HERMETIC THERMOSTAT | 315000230206.pdf | |
![]() | RH03ADCN3X(3.3K) | RH03ADCN3X(3.3K) ALPS SMD or Through Hole | RH03ADCN3X(3.3K).pdf | |
![]() | EPF6024QI240 | EPF6024QI240 ALTERA QFP | EPF6024QI240.pdf | |
![]() | 2CW52J | 2CW52J CHINA SMD or Through Hole | 2CW52J.pdf | |
![]() | MM74HC240 | MM74HC240 FSC SOP | MM74HC240.pdf | |
![]() | J0509N-1W | J0509N-1W MORNSUN DIP | J0509N-1W.pdf | |
![]() | TNETV3010CGVC | TNETV3010CGVC TI NA | TNETV3010CGVC.pdf | |
![]() | RSN314H41 | RSN314H41 SANYO SMD or Through Hole | RSN314H41.pdf | |
![]() | IDCM-5A | IDCM-5A ORIGINAL DIP | IDCM-5A.pdf |