홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » FET - 단일 » RJK0602DPN-E0#T2

Renesas Electronics America RJK0602DPN-E0#T2

RJK0602DPN-E0#T2
제조업체 부품 번호
RJK0602DPN-E0#T2
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 60V 100A TO220
데이터 시트 다운로드
다운로드
RJK0602DPN-E0#T2 가격 및 조달

가능 수량

8550 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 5,016.00000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RJK0602DPN-E0#T2 재고가 있습니다. 우리는 Renesas Electronics America 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Renesas Electronics America 전자 부품 전문. RJK0602DPN-E0#T2 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RJK0602DPN-E0#T2가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RJK0602DPN-E0#T2 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RJK0602DPN-E0#T2 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RJK0602DPN-E0#T2
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RJK0602DPN-E0#T2
PCN 조립/원산지Wafer Fabrication Site Change 02/Oct/2013
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)60V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C110A(Ta)
Rds On(최대) @ Id, Vgs3.9m옴 @ 50A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)-
게이트 전하(Qg) @ Vgs90nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds6450pF @ 10V
전력 - 최대150W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형스루홀
패키지/케이스TO-220-3
공급 장치 패키지TO-220AB
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RJK0602DPN-E0#T2
관련 링크RJK0602DP, RJK0602DPN-E0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
RJK0602DPN-E0#T2 의 관련 제품
DIODE ZENER 6.8V 500MW SOD123 MMSZ5235B-G3-08.pdf
RES ARRAY 4 RES 1.8K OHM 1206 TC164-JR-071K8L.pdf
100314FMQB NSC CQFP24 100314FMQB.pdf
43045-0414 MOLEX ORIGINAL 43045-0414.pdf
CX95430-36Z CX QFP CX95430-36Z.pdf
7808ABV ST TO-220 7808ABV.pdf
IDT72V265LA-10TF IDT QFP IDT72V265LA-10TF.pdf
HPC46083TNH NS MQFP HPC46083TNH.pdf
IXTP240N055T IXYS TO-220 IXTP240N055T.pdf
UPC1457HA NEC ZIP UPC1457HA.pdf
DJC5 ORIGINAL SOT-163 DJC5.pdf