창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK03M4DPA-00#J5A | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK03M4DPA-00#J5A | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.6m옴 @ 17.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2170pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 30W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-WFDFN 노출형 패드 | |
| 공급 장치 패키지 | 8-WPAK | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK03M4DPA-00#J5A | |
| 관련 링크 | RJK03M4DPA, RJK03M4DPA-00#J5A 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | CC1812JKNPOEBN470 | 47pF 3000V(3kV) 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1812(4532 미터법) 0.177" L x 0.126" W(4.50mm x 3.20mm) | CC1812JKNPOEBN470.pdf | |
![]() | MMA02040C5607FB300 | RES SMD 0.56 OHM 1% 0.4W 0204 | MMA02040C5607FB300.pdf | |
![]() | CMF551M6500FHRE | RES 1.65M OHM 1/2W 1% AXIAL | CMF551M6500FHRE.pdf | |
![]() | 2455RBV01170187 | OVERMOLD AUTO RESET THERMOSTATS | 2455RBV01170187.pdf | |
![]() | HIF3BA-50PA=2.54DS | HIF3BA-50PA=2.54DS MICROCHIP NULL | HIF3BA-50PA=2.54DS.pdf | |
![]() | PM15RSH-120 | PM15RSH-120 ORIGINAL SMD or Through Hole | PM15RSH-120.pdf | |
![]() | S12B-PHDSS | S12B-PHDSS JST 2012.03 | S12B-PHDSS.pdf | |
![]() | GMA5413 | GMA5413 ORIGINAL DIP | GMA5413.pdf | |
![]() | PCN60FI | PCN60FI ORIGINAL SMD or Through Hole | PCN60FI.pdf | |
![]() | BL09511 | BL09511 BL SSOP | BL09511.pdf | |
![]() | Q22FA2380097911 | Q22FA2380097911 EPSON SMD or Through Hole | Q22FA2380097911.pdf | |
![]() | MC74HCU04ND | MC74HCU04ND MOTOROLA SMD or Through Hole | MC74HCU04ND.pdf |