창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJK0354DSP-00#J0 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJK0354DSP | |
| 특정유해물질규제지침(RoHS) 정보 | RoHS Compliance | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 카탈로그 페이지 | 1632 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 16A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 7m옴 @ 8A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 12nC(4.5V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1740pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 2W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | 8-SOIC(0.154", 3.90mm 폭) | |
| 공급 장치 패키지 | 8-SOP | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 다른 이름 | RJK0354DSP-00#J0TR RJK0354DSP00J0 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJK0354DSP-00#J0 | |
| 관련 링크 | RJK0354DS, RJK0354DSP-00#J0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | VJ0805D2R1CXCAP | 2.1pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | VJ0805D2R1CXCAP.pdf | |
![]() | IRF7329TRPBF | MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC | IRF7329TRPBF.pdf | |
![]() | RG3216P-1073-B-T5 | RES SMD 107K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RG3216P-1073-B-T5.pdf | |
![]() | Y0007960R859V9L | RES 960.859 OHM 0.6W 0.005% RAD | Y0007960R859V9L.pdf | |
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![]() | S2336 | S2336 CHENMKO SOT-23 | S2336.pdf | |
![]() | STC5344 | STC5344 AUK TO-92 | STC5344.pdf | |
![]() | 690P(+-1%) | 690P(+-1%) SOSHIN SMD or Through Hole | 690P(+-1%).pdf | |
![]() | HDL4M1LGTJ303 | HDL4M1LGTJ303 HITACHI QFP | HDL4M1LGTJ303.pdf | |
![]() | TD62164 | TD62164 TOSHIBA SMD | TD62164.pdf | |
![]() | HLMPD101CATK | HLMPD101CATK avago SMD or Through Hole | HLMPD101CATK.pdf | |
![]() | VF16C10D | VF16C10D FCI TO-220 | VF16C10D.pdf |