창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJK0332DPB-01#J0 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJK0332DPB-01 | |
PCN 조립/원산지 | Power Transistors Relocation 12/Nov/2013 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 논리 레벨 게이트, 4.5V 구동 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 35A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 4.7m옴 @ 17.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 14nC(4.5V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 2180pF @ 10V | |
전력 - 최대 | 45W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-100, SOT-669 | |
공급 장치 패키지 | LFPAK | |
표준 포장 | 2,500 | |
다른 이름 | RJK0332DPB-01#J0TR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJK0332DPB-01#J0 | |
관련 링크 | RJK0332DP, RJK0332DPB-01#J0 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
0451004.NR | FUSE BRD MNT 4A 125VAC/VDC 2SMD | 0451004.NR.pdf | ||
ZWS150BAF-12/R | AC/DC CONVERTER 12V 150W | ZWS150BAF-12/R.pdf | ||
42J800E | RES 800 OHM 2W 5% AXIAL | 42J800E.pdf | ||
BCM6812IFSB | BCM6812IFSB BROADCOM BGA | BCM6812IFSB.pdf | ||
2SC1161 | 2SC1161 NEC TO-3 | 2SC1161.pdf | ||
KCQ20A06 | KCQ20A06 NIHON TO-3P | KCQ20A06.pdf | ||
T8K29AAMBG | T8K29AAMBG TOS QFP | T8K29AAMBG.pdf | ||
BGCF1608F400MT | BGCF1608F400MT ORIGINAL O603 | BGCF1608F400MT.pdf | ||
HN16517S | HN16517S MINGTEK SOP-16 | HN16517S.pdf | ||
5024261430 | 5024261430 molex Connector | 5024261430.pdf | ||
FLD3F8CZ/AD18 | FLD3F8CZ/AD18 sumitomo SMD or Through Hole | FLD3F8CZ/AD18.pdf | ||
PBO1608-101MT | PBO1608-101MT ORIGINAL SMD | PBO1608-101MT.pdf |