창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RJH60M1DPP-M0#T2 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RJH60M1DPP-M0 | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | IGBT - 단일 | |
제조업체 | Renesas Electronics America | |
계열 | - | |
포장 | 튜브 | |
부품 현황 | 유효 | |
IGBT 유형 | Trench | |
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 16A | |
전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 8A | |
전력 - 최대 | 30W | |
스위칭 에너지 | 80µJ(켜기), 90µJ(끄기) | |
입력 유형 | 표준 | |
게이트 전하 | 20.5nC | |
Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/55ns | |
테스트 조건 | 300V, 8A, 5 옴, 15V | |
역회복 시간(trr) | 75ns | |
패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
실장 유형 | 스루홀 | |
공급 장치 패키지 | TO-220FL | |
표준 포장 | 1 | |
다른 이름 | RJH60M1DPPM0T2 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RJH60M1DPP-M0#T2 | |
관련 링크 | RJH60M1DP, RJH60M1DPP-M0#T2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 |
![]() | 0603R-6N8J | 6.8nH Unshielded Wirewound Inductor 700mA 110 mOhm Max 2-SMD | 0603R-6N8J.pdf | |
![]() | CP000551R00KE663 | RES 51 OHM 5W 10% AXIAL | CP000551R00KE663.pdf | |
![]() | 20A40 | 20A40 ORIGINAL TO263 | 20A40.pdf | |
![]() | ESM303ODV | ESM303ODV ORIGINAL SMD or Through Hole | ESM303ODV.pdf | |
![]() | SLVU28.TC | SLVU28.TC SEMTECH SOP23 | SLVU28.TC.pdf | |
![]() | ST1S03RPM | ST1S03RPM ST DFN6 2 | ST1S03RPM.pdf | |
![]() | 04026D105KAT1A | 04026D105KAT1A AVX SMD | 04026D105KAT1A.pdf | |
![]() | KM23C32000G-15 | KM23C32000G-15 SAMSUNG SOP-7.2-44P | KM23C32000G-15.pdf | |
![]() | MC2202D | MC2202D ABOV SOP28 | MC2202D.pdf | |
![]() | MAFRIN0533 | MAFRIN0533 M/A-COMTechnologySolutions SMD or Through Hole | MAFRIN0533.pdf | |
![]() | MF55DT52RF | MF55DT52RF KOA SMD or Through Hole | MF55DT52RF.pdf | |
![]() | AD7875KN(LN) | AD7875KN(LN) ORIGINAL SMD or Through Hole | AD7875KN(LN).pdf |