홈 » 제품 카테고리 » 이산 소자 반도체 제품 » IGBT - 단일 » RJH60D7DPM-00#T1

Renesas Electronics America RJH60D7DPM-00#T1

RJH60D7DPM-00#T1
제조업체 부품 번호
RJH60D7DPM-00#T1
제조업 자
제품 카테고리
IGBT - 단일
간단한 설명
IGBT 600V 90A 55W TO3PFM
데이터 시트 다운로드
다운로드
RJH60D7DPM-00#T1 가격 및 조달

가능 수량

8560 조각

배송 오늘

창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주

시장 가격
₩ 7,250.00000
우리의 가격
이메일로 견적

수량

 

EIS에는 RJH60D7DPM-00#T1 재고가 있습니다. 우리는 Renesas Electronics America 의 대리인, 우리는 모든 시리즈 Renesas Electronics America 전자 부품 전문. RJH60D7DPM-00#T1 는 주문 후 24 시간 이내에 배송 될 수 있습니다. RJH60D7DPM-00#T1가 필요한 경우 여기에 RFQ를 제출하거나 이메일을 보내 주시기 바랍니다. 우리의 이메일 : [email protected]
RJH60D7DPM-00#T1 주문 프로세스
문의 양식에 추가
견적 요청
우리는 24 시간 이내에 회신
당신은 순서를 확인
지불
주문 발송
RJH60D7DPM-00#T1 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RJH60D7DPM-00#T1
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RJH60D7DPM
EDA/CAD 모델 Accelerated Designs에서 다운로드
종류이산 소자 반도체 제품
제품군IGBT - 단일
제조업체Renesas Electronics America
계열-
포장튜브
부품 현황유효
IGBT 유형Trench
전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대)600V
전류 - 콜렉터(Ic)(최대)90A
전류 - 콜렉터 펄스(Icm)-
Vce(on)(최대) @ Vge, Ic2.2V @ 15V, 50A
전력 - 최대55W
스위칭 에너지1.1mJ(켜기), 600µJ(끄기)
입력 유형표준
게이트 전하130nC
Td(온/오프) @ 25°C60ns/190ns
테스트 조건300V, 50A, 5 옴, 15V
역회복 시간(trr)100ns
패키지/케이스TO-3PFM, SC-93-3
실장 유형스루홀
공급 장치 패키지TO-3PFM
표준 포장 1
무게0.001 KG
신청자세한 내용은 이메일
대체 부품 (교체)RJH60D7DPM-00#T1
관련 링크RJH60D7DP, RJH60D7DPM-00#T1 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통
RJH60D7DPM-00#T1 의 관련 제품
330µF 25V Aluminum Capacitors Radial, Can 5000 Hrs @ 105°C UPW1E331MPD1TD.pdf
0.68µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1206(3216 미터법) 0.126" L x 0.063" W(3.20mm x 1.60mm) C1206C684J5RACTU.pdf
CSM2010-074 CRAMERCOIL SMD or Through Hole CSM2010-074.pdf
MD2118 INTEL DIP MD2118.pdf
SM1105-DE1S NPC SOP8 SM1105-DE1S.pdf
1SMC11CAT3 ON DO214AB 1SMC11CAT3.pdf
A100J15C0GHVVWA VISHAY DIP A100J15C0GHVVWA.pdf
AIC1653GV AIC SOT-23-5 AIC1653GV.pdf
CD758A MICROSEMI SMD CD758A.pdf
SC786108 MOT SOP16 SC786108.pdf
KTS250B156M43N0T ORIGINAL SMD or Through Hole KTS250B156M43N0T.pdf
UMK105UK010DW-F TAIYO SMD or Through Hole UMK105UK010DW-F.pdf