창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJH60A81RDPD-A0#J2 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RJH60A81RDPD-A0 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Renesas Electronics America | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | Trench | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 600V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 10A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | - | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 5A | |
| 전력 - 최대 | 29.4W | |
| 스위칭 에너지 | 130µJ(켜기), 60µJ(끄기) | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 11nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 30ns/40ns | |
| 테스트 조건 | 300V, 5A, 5 옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 100ns | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-252 | |
| 표준 포장 | 3,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RJH60A81RDPD-A0#J2 | |
| 관련 링크 | RJH60A81RD, RJH60A81RDPD-A0#J2 데이터 시트, Renesas Electronics America 에이전트 유통 | |
![]() | LB3218T2R2M | 2.2µH Unshielded Wirewound Inductor 775mA 90 mOhm 1207 (3218 Metric) | LB3218T2R2M.pdf | |
![]() | CMF6035K200BER6 | RES 35.2K OHM 1W .1% AXIAL | CMF6035K200BER6.pdf | |
![]() | Z80BSIO/0 | Z80BSIO/0 ZI DIP | Z80BSIO/0.pdf | |
![]() | MD172411VCD | MD172411VCD CIR PQFP | MD172411VCD.pdf | |
![]() | MB100H1BS1 | MB100H1BS1 ORIGINAL SMD or Through Hole | MB100H1BS1.pdf | |
![]() | AF298 | AF298 MOT CAN | AF298.pdf | |
![]() | TAG255A-100 | TAG255A-100 TAG TO-220 | TAG255A-100.pdf | |
![]() | MAX483CPA/EPA/CSA/ESA | MAX483CPA/EPA/CSA/ESA MAXIM DIP-8 | MAX483CPA/EPA/CSA/ESA.pdf | |
![]() | NX1255GA4.000MHZ | NX1255GA4.000MHZ NDK SMD or Through Hole | NX1255GA4.000MHZ.pdf | |
![]() | MMZ1608F470BT000 | MMZ1608F470BT000 TDK SMD or Through Hole | MMZ1608F470BT000.pdf | |
![]() | CMKZ5229B | CMKZ5229B CENTRAL SMD or Through Hole | CMKZ5229B.pdf |