창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 5 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RJ(RE)1/4W+ | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 시리즈 | RJ(RE)1/4W+ | |
| EDA/CAD 모델 | - | |
| 종류 | 전자 부품 | |
| 공차 | - | |
| 풍모 | - | |
| 작동 온도 | - | |
| 정격 전압 | - | |
| 정격 전류 | - | |
| 최종 제품 | - | |
| 포장 종류 | SMD or Through Hole | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 대체 부품 (교체) | RJ(RE)1/4W+ | |
| 관련 링크 | RJ(RE), RJ(RE)1/4W+ 데이터 시트, - 에이전트 유통 | |
![]() | GF1D | DIODE GEN PURP 200V 1A SMA | GF1D.pdf | |
![]() | 1N5250B-T | DIODE ZENER 20V 500MW DO35 | 1N5250B-T.pdf | |
![]() | DLO1-24-0008 | 1 Line Common Mode Choke Through Hole 450mA DCR 3 Ohm | DLO1-24-0008.pdf | |
![]() | RNCF0805DTE18K0 | RES SMD 18K OHM 0.5% 1/8W 0805 | RNCF0805DTE18K0.pdf | |
![]() | PNP10VJT-91-330R | RES 330 OHM 10W 5% AXIAL | PNP10VJT-91-330R.pdf | |
![]() | HD6413003F8 | HD6413003F8 HITACHI QFP | HD6413003F8.pdf | |
![]() | SXT2LF-100 | SXT2LF-100 SILICON BGA | SXT2LF-100.pdf | |
![]() | M-L-BUFFY-C1-MP-DB | M-L-BUFFY-C1-MP-DB AGERE PBGA | M-L-BUFFY-C1-MP-DB.pdf | |
![]() | EDZC TE616.8B | EDZC TE616.8B ORIGINAL SMD or Through Hole | EDZC TE616.8B.pdf | |
![]() | ZR36473BGCG | ZR36473BGCG ZR BGA | ZR36473BGCG.pdf | |
![]() | B43688S6156T1 | B43688S6156T1 EPCOS SMD or Through Hole | B43688S6156T1.pdf | |
![]() | 290-3dB | 290-3dB MIDWEST SMD or Through Hole | 290-3dB.pdf |