창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RGT16NS65DGTL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RGT16NS65D | |
| 제품 교육 모듈 | Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | IGBT - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| IGBT 유형 | 트렌치 필드 스톱 | |
| 전압 - 콜렉터 방출기 항복(최대) | 650V | |
| 전류 - 콜렉터(Ic)(최대) | 16A | |
| 전류 - 콜렉터 펄스(Icm) | 24A | |
| Vce(on)(최대) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 8A | |
| 전력 - 최대 | 94W | |
| 스위칭 에너지 | - | |
| 입력 유형 | 표준 | |
| 게이트 전하 | 21nC | |
| Td(온/오프) @ 25°C | 13ns/33ns | |
| 테스트 조건 | 400V, 8A, 10옴, 15V | |
| 역회복 시간(trr) | 42ns | |
| 패키지/케이스 | TO-263-3, D²Pak(2리드(lead)+탭), TO-263AB | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 공급 장치 패키지 | LPDS(TO-263S) | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 다른 이름 | RGT16NS65DGTLTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RGT16NS65DGTL | |
| 관련 링크 | RGT16NS, RGT16NS65DGTL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | ECS-.327-12.5-34R-TR | 32.768kHz ±20ppm 수정 12.5pF 50k옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 2-SMD, 무연(DFN, LCC) | ECS-.327-12.5-34R-TR.pdf | |
![]() | AT29C1024-90TI | AT29C1024-90TI AT SOP | AT29C1024-90TI.pdf | |
![]() | 200AV | 200AV ON SOP-8 | 200AV.pdf | |
![]() | SW01EQ | SW01EQ PMI CDIP | SW01EQ.pdf | |
![]() | M34282M2-A55GP | M34282M2-A55GP RENESAS SSOP-20 | M34282M2-A55GP.pdf | |
![]() | 1/2W 8V2 | 1/2W 8V2 ST DIP | 1/2W 8V2.pdf | |
![]() | AT8958252-24PI | AT8958252-24PI ORIGINAL SMD or Through Hole | AT8958252-24PI.pdf | |
![]() | GRM033C1H8R0DD01D | GRM033C1H8R0DD01D muRata SMD or Through Hole | GRM033C1H8R0DD01D.pdf | |
![]() | UPD27C4001GW-B35Y | UPD27C4001GW-B35Y NEC SMD | UPD27C4001GW-B35Y.pdf | |
![]() | CC3225270KSB | CC3225270KSB ABC SMD | CC3225270KSB.pdf | |
![]() | 600-3/4ST-8 | 600-3/4ST-8 MARATHON/KULKA SMD or Through Hole | 600-3/4ST-8.pdf | |
![]() | PT220 | PT220 PT SMD | PT220.pdf |