창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-2800-B-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 280 | |
허용 오차 | ±0.1% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-2800-B-T5 | |
관련 링크 | RG2012V-28, RG2012V-2800-B-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
W3L16C473MAT1A | 0.047µF 6.3V 세라믹 커패시터 X7R 0612(1632 미터법) 0.063" L x 0.126" W(1.60mm x 3.20mm) | W3L16C473MAT1A.pdf | ||
B82723A2202N1 | 5.6mH @ 10kHz 2 Line Common Mode Choke Through Hole 2A DCR 160 mOhm (Typ) | B82723A2202N1.pdf | ||
DRV5033AJQDBZRQ1 | IC HALL SENSOR DGTL 3SOT23 | DRV5033AJQDBZRQ1.pdf | ||
80-6107-2964-4 | 80-6107-2964-4 M SMD or Through Hole | 80-6107-2964-4.pdf | ||
DAC104S085CIMMX | DAC104S085CIMMX NS MSOP10 | DAC104S085CIMMX.pdf | ||
ACST4-7S | ACST4-7S ST SMD or Through Hole | ACST4-7S.pdf | ||
ACO-100.0MHZ | ACO-100.0MHZ ABRACOW SMD or Through Hole | ACO-100.0MHZ.pdf | ||
MC33193PG(DIP-8) | MC33193PG(DIP-8) ON DIP8 | MC33193PG(DIP-8).pdf | ||
F521 | F521 MOTOROLA SOP20 | F521.pdf | ||
S74LVA2G125DCTR | S74LVA2G125DCTR TI SMD or Through Hole | S74LVA2G125DCTR.pdf | ||
SCD0705T-150 | SCD0705T-150 yaoge SMD or Through Hole | SCD0705T-150.pdf | ||
63FVX-RSM1-GAN-ETF(S) | 63FVX-RSM1-GAN-ETF(S) JST SMD | 63FVX-RSM1-GAN-ETF(S).pdf |