창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-2490-P-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 249 | |
허용 오차 | ±0.02% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-2490-P-T1 | |
관련 링크 | RG2012V-24, RG2012V-2490-P-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | 402F36012IDR | 36MHz ±10ppm 수정 18pF 100옴 -40°C ~ 85°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 402F36012IDR.pdf | |
![]() | SIT9003AC-33-33DO-14.31800Y | OSC XO 3.3V 14.318MHZ SD -0.50% | SIT9003AC-33-33DO-14.31800Y.pdf | |
![]() | RVQ040N05TR | MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 | RVQ040N05TR.pdf | |
![]() | NTTFS4C65NTWG | MOSFET N-CH 30V 27A U8FL | NTTFS4C65NTWG.pdf | |
![]() | RD1V108M12020 | RD1V108M12020 samwha DIP-2 | RD1V108M12020.pdf | |
![]() | SIS85-681 | SIS85-681 DELTA QFP | SIS85-681.pdf | |
![]() | 140.20BSO16 | 140.20BSO16 ELMOS SOP | 140.20BSO16.pdf | |
![]() | STD6N20T4 | STD6N20T4 ST TO-252(DPAK) | STD6N20T4.pdf | |
![]() | FCZ100E-23RSK | FCZ100E-23RSK YEONHO SMD or Through Hole | FCZ100E-23RSK.pdf | |
![]() | 4R1T30Y-080 | 4R1T30Y-080 FUJI SMD or Through Hole | 4R1T30Y-080.pdf | |
![]() | KM616FV2000ATI-7 | KM616FV2000ATI-7 SAMSUNG TSOP-44 | KM616FV2000ATI-7.pdf | |
![]() | GL8HY23 | GL8HY23 SHARP ROHS | GL8HY23.pdf |