창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012V-1690-W-T1 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 169 | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±5ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 1,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012V-1690-W-T1 | |
관련 링크 | RG2012V-16, RG2012V-1690-W-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | TVA1966E | Aluminum Capacitors Axial, Can | TVA1966E.pdf | |
![]() | TBA820M1 | TBA820M1 ST DIP8 | TBA820M1.pdf | |
![]() | 1N966BTR | 1N966BTR FSC Call | 1N966BTR.pdf | |
![]() | LM213H-1 | LM213H-1 NS CAN | LM213H-1.pdf | |
![]() | US2D | US2D MDD/MCC SMBDO-214AA | US2D.pdf | |
![]() | VM312N10P036N/K/J | VM312N10P036N/K/J VTC SSOP36 | VM312N10P036N/K/J.pdf | |
![]() | M01 TQFN8 3X3 | M01 TQFN8 3X3 LFWB TQFN8 | M01 TQFN8 3X3.pdf | |
![]() | B81130-C1105-M | B81130-C1105-M EPCOS 28MM | B81130-C1105-M.pdf | |
![]() | LE82945GZ | LE82945GZ INTEL BGA | LE82945GZ.pdf | |
![]() | 21FTZ-SM1-GAN-1-TB(LF)(SN) | 21FTZ-SM1-GAN-1-TB(LF)(SN) JST SMD | 21FTZ-SM1-GAN-1-TB(LF)(SN).pdf | |
![]() | A5567-D00Z | A5567-D00Z ORIGINAL SMD or Through Hole | A5567-D00Z.pdf | |
![]() | LNSV10F683H | LNSV10F683H lat SMD or Through Hole | LNSV10F683H.pdf |