창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012P-2610-D-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 261 | |
허용 오차 | ±0.5% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±25ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012P-2610-D-T5 | |
관련 링크 | RG2012P-26, RG2012P-2610-D-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | CGA4F2X8R2A103M085AD | 10000pF 100V 세라믹 커패시터 X8R 0805(2012 미터법) 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | CGA4F2X8R2A103M085AD.pdf | |
![]() | UZ775 | DIODE ZENER A-PKG | UZ775.pdf | |
![]() | NGTB25N120IHLWG | IGBT 1200V 50A 192W TO247-3 | NGTB25N120IHLWG.pdf | |
![]() | PTKM50R-59H | 50µH Shielded Toroidal Inductor 6.9A 22 mOhm Max Radial | PTKM50R-59H.pdf | |
![]() | ERJ-P6WF68R0V | RES SMD 68 OHM 1% 1/2W 0805 | ERJ-P6WF68R0V.pdf | |
![]() | RNCF1206BTE200K | RES SMD 200K OHM 0.1% 1/4W 1206 | RNCF1206BTE200K.pdf | |
![]() | RM32DR60J336ME19L | RM32DR60J336ME19L ORIGINAL SMD or Through Hole | RM32DR60J336ME19L.pdf | |
![]() | FAR-D5GD-942M50-D1DF-ZA | FAR-D5GD-942M50-D1DF-ZA FUJITSU SMD or Through Hole | FAR-D5GD-942M50-D1DF-ZA.pdf | |
![]() | CY20AAH8F | CY20AAH8F RENESAS SMD or Through Hole | CY20AAH8F.pdf | |
![]() | CD30FD562J03F | CD30FD562J03F CDE SMD or Through Hole | CD30FD562J03F.pdf | |
![]() | 2.4576U | 2.4576U ORIGINAL DIP | 2.4576U.pdf | |
![]() | KHB332KN51CGAAA | KHB332KN51CGAAA ARCOTRONICS DIP | KHB332KN51CGAAA.pdf |