창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RG2012P-224-W-T5 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RG Series | |
| 제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Susumu | |
| 계열 | RG | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 220k | |
| 허용 오차 | ±0.05% | |
| 전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0805 | |
| 크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
| 높이 | 0.020"(0.50mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 5,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RG2012P-224-W-T5 | |
| 관련 링크 | RG2012P-2, RG2012P-224-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 | |
![]() | DPFF12D33J-F | 3300pF Film Capacitor 475V 1200V (1.2kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 1.299" L x 0.500" W (33.00mm x 12.70mm) | DPFF12D33J-F.pdf | |
![]() | 13008-030MESZ/HR | 220µF Conformal Coated Tantalum Capacitors 16V 2917 (7343 Metric) 60 mOhm 0.299" L x 0.173" W (7.60mm x 4.40mm) | 13008-030MESZ/HR.pdf | |
![]() | MX27C8000QC-10 | MX27C8000QC-10 MX PLCC-32 | MX27C8000QC-10.pdf | |
![]() | BC857BW-3F | BC857BW-3F INFINEON SOT-323 | BC857BW-3F.pdf | |
![]() | 2SC4686 | 2SC4686 ORIGINAL TO-220 | 2SC4686.pdf | |
![]() | ESB477M063AN2AA | ESB477M063AN2AA ARCOTRNIC DIP | ESB477M063AN2AA.pdf | |
![]() | HM629127HLJP20 | HM629127HLJP20 HITACHI SMD or Through Hole | HM629127HLJP20.pdf | |
![]() | SC82360SL SX706 | SC82360SL SX706 INTEL QFP | SC82360SL SX706.pdf | |
![]() | NAWE4R7M50V5X5.5NBF | NAWE4R7M50V5X5.5NBF NIC SMD or Through Hole | NAWE4R7M50V5X5.5NBF.pdf | |
![]() | 3LN01C5 | 3LN01C5 SANYO SOT-153 | 3LN01C5.pdf | |
![]() | EN27C010-45P | EN27C010-45P EON DIP | EN27C010-45P.pdf | |
![]() | RD5.6SL-T2B | RD5.6SL-T2B NEC SOD323 | RD5.6SL-T2B.pdf |