창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012N-8660-D-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 866 | |
허용 오차 | ±0.5% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012N-8660-D-T5 | |
관련 링크 | RG2012N-86, RG2012N-8660-D-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
![]() | VJ1206A332JBBAT4X | 3300pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 1206(3216 미터법) 0.132" L x 0.063" W(3.35mm x 1.60mm) | VJ1206A332JBBAT4X.pdf | |
![]() | SR075C223KAR | 0.022µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 방사 0.150" L x 0.100" W(3.81mm x 2.54mm) | SR075C223KAR.pdf | |
![]() | SR201E104MAT | 0.10µF 100V 세라믹 커패시터 Z5U 방사 0.200" L x 0.125" W(5.08mm x 3.18mm) | SR201E104MAT.pdf | |
![]() | AT25640N10SC2.7 | AT25640N10SC2.7 ATMEL SOP | AT25640N10SC2.7.pdf | |
![]() | SUCW34815 | SUCW34815 COSEL SMD or Through Hole | SUCW34815.pdf | |
![]() | SF2001E-Eng | SF2001E-Eng RFM SMD or Through Hole | SF2001E-Eng.pdf | |
![]() | NDH4815SC | NDH4815SC Murat SMD or Through Hole | NDH4815SC.pdf | |
![]() | SM5651-015D-3S/1S | SM5651-015D-3S/1S SMI SMD or Through Hole | SM5651-015D-3S/1S.pdf | |
![]() | 2N1160 | 2N1160 ORIGINAL TO-3 | 2N1160.pdf | |
![]() | GM5626-LF-AA | GM5626-LF-AA GENESIS-PB QFP | GM5626-LF-AA.pdf | |
![]() | LA-401DN | LA-401DN ROHM SMD or Through Hole | LA-401DN.pdf |