창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RG2012N-123-W-T5 | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RG Series | |
제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
종류 | 저항기 | |
제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
제조업체 | Susumu | |
계열 | RG | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | * | |
저항(옴) | 12k | |
허용 오차 | ±0.05% | |
전력(와트) | 0.125W, 1/8W | |
구성 | 박막 | |
특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
온도 계수 | ±10ppm/°C | |
작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
패키지/케이스 | 0805(2012 미터법) | |
공급 장치 패키지 | 0805 | |
크기/치수 | 0.079" L x 0.049" W(2.00mm x 1.25mm) | |
높이 | 0.020"(0.50mm) | |
종단 개수 | 2 | |
표준 포장 | 5,000 | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RG2012N-123-W-T5 | |
관련 링크 | RG2012N-1, RG2012N-123-W-T5 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 |
CL32B225KBJNNNF | 2.2µF 50V 세라믹 커패시터 X7R 1210(3225 미터법) 0.126" L x 0.098" W(3.20mm x 2.50mm) | CL32B225KBJNNNF.pdf | ||
SIT9003AI-24-33DQ-16.00000T | OSC XO 3.3V 16MHZ SD -1.0% | SIT9003AI-24-33DQ-16.00000T.pdf | ||
ERJ-S02F3651X | RES SMD 3.65K OHM 1% 1/10W 0402 | ERJ-S02F3651X.pdf | ||
RSMF2JT180R | RES METAL OX 2W 180 OHM 5% AXL | RSMF2JT180R.pdf | ||
UA323FK | UA323FK Agilent QFN | UA323FK.pdf | ||
NTC316-DA1J-B2201 | NTC316-DA1J-B2201 FUJISOKU SMD or Through Hole | NTC316-DA1J-B2201.pdf | ||
D2N201ME | D2N201ME IR SMD or Through Hole | D2N201ME.pdf | ||
SD1285 | SD1285 ST SMD or Through Hole | SD1285.pdf | ||
S-80930CLNB-G60T2G | S-80930CLNB-G60T2G SII SOT343 | S-80930CLNB-G60T2G.pdf | ||
IS42S16100A-6TI | IS42S16100A-6TI ISSI TSOP | IS42S16100A-6TI.pdf | ||
NTT440AG | NTT440AG PULSE SMD or Through Hole | NTT440AG.pdf | ||
GRM3166R1H470JZ01D | GRM3166R1H470JZ01D MURATA SMD or Through Hole | GRM3166R1H470JZ01D.pdf |