창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RG1608P-1371-P-T1 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RG Series | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Susumu | |
| 계열 | RG | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 1.37k | |
| 허용 오차 | ±0.02% | |
| 전력(와트) | 0.1W, 1/10W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0603(1608 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0603 | |
| 크기/치수 | 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | |
| 높이 | 0.020"(0.50mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 1,000 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RG1608P-1371-P-T1 | |
| 관련 링크 | RG1608P-13, RG1608P-1371-P-T1 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 | |
![]() | C1608X6S0J155K080AB | 1.5µF 6.3V 세라믹 커패시터 X6S 0603(1608 미터법) 0.063" L x 0.031" W(1.60mm x 0.80mm) | C1608X6S0J155K080AB.pdf | |
![]() | GTCA28-102M-R03 | GDT 1000V 20% 3KA THROUGH HOLE | GTCA28-102M-R03.pdf | |
![]() | NSB8GTHE3_A/P | DIODE GEN PURP 400V 8A TO263AB | NSB8GTHE3_A/P.pdf | |
![]() | LMS-1/10-D3 | LMS-1/10-D3 C&D SMD or Through Hole | LMS-1/10-D3.pdf | |
![]() | TFKU2529 | TFKU2529 ORIGINAL DIP | TFKU2529.pdf | |
![]() | MRF19030R3 | MRF19030R3 MOTOROLA RFTube | MRF19030R3.pdf | |
![]() | HCS512/SO | HCS512/SO MIC SOIC | HCS512/SO.pdf | |
![]() | 2SJ502-TB | 2SJ502-TB SANYO SOT23 | 2SJ502-TB.pdf | |
![]() | UDZ5.6B(UDZ TE-17 5. | UDZ5.6B(UDZ TE-17 5. ROHM SMD or Through Hole | UDZ5.6B(UDZ TE-17 5..pdf | |
![]() | VF2510BGILFT | VF2510BGILFT IDT SMD or Through Hole | VF2510BGILFT.pdf | |
![]() | H11D3X | H11D3X ISOCOM DIPSOP | H11D3X.pdf |