창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RG1005P-243-D-T10 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RG Series | |
| 제품 교육 모듈 | Intro to Thin Film Chip Resistors Severe Environmental & Sulfur Resistant Chip | |
| EDA/CAD 모델 | Accelerated Designs에서 다운로드 | |
| 종류 | 저항기 | |
| 제품군 | 칩 저항기 - 표면실장(SMD, SMT) | |
| 제조업체 | Susumu | |
| 계열 | RG | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | * | |
| 저항(옴) | 24k | |
| 허용 오차 | ±0.5% | |
| 전력(와트) | 0.063W, 1/16W | |
| 구성 | 박막 | |
| 특징 | 자동차 AEC-Q200 | |
| 온도 계수 | ±25ppm/°C | |
| 작동 온도 | -55°C ~ 155°C | |
| 패키지/케이스 | 0402(1005 미터법) | |
| 공급 장치 패키지 | 0402 | |
| 크기/치수 | 0.039" L x 0.020" W(1.00mm x 0.50mm) | |
| 높이 | 0.016"(0.40mm) | |
| 종단 개수 | 2 | |
| 표준 포장 | 10,000 | |
| 다른 이름 | RG1005P-243-D-T10-ND RG10P24.0KDTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RG1005P-243-D-T10 | |
| 관련 링크 | RG1005P-24, RG1005P-243-D-T10 데이터 시트, Susumu 에이전트 유통 | |
![]() | B32562J3335J | 3.3µF Film Capacitor 160V 250V Polyester, Polyethylene Terephthalate (PET), Metallized - Stacked 2-DIP | B32562J3335J.pdf | |
![]() | MKP385543125JYP5T0 | 4.3µF Film Capacitor 450V 1250V (1.25kV) Polypropylene (PP), Metallized Radial 2.264" L x 1.378" W (57.50mm x 35.00mm) | MKP385543125JYP5T0.pdf | |
![]() | ASE-20.000MHZ-ET | 20MHz CMOS XO (Standard) Oscillator Surface Mount 3.3V 7mA Enable/Disable | ASE-20.000MHZ-ET.pdf | |
![]() | LMV3582DT | LMV3582DT TI SMD or Through Hole | LMV3582DT.pdf | |
![]() | 06032R332K7B20D | 06032R332K7B20D YAGEO SMD | 06032R332K7B20D.pdf | |
![]() | MM1621D | MM1621D ORIGINAL SOP-8 | MM1621D.pdf | |
![]() | R34120 | R34120 MICROSEMI STUD | R34120.pdf | |
![]() | FCQS10A065M | FCQS10A065M OTHERS SMD or Through Hole | FCQS10A065M.pdf | |
![]() | PST3232NR | PST3232NR MIT SOT-23 | PST3232NR.pdf | |
![]() | PRC2012750K | PRC2012750K PHILIPS SMD or Through Hole | PRC2012750K.pdf | |
![]() | V23535A1210A642 | V23535A1210A642 SIEMENS ORIGINAL | V23535A1210A642.pdf |