창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RF4E080GNTR | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RF4E080GN | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 30V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 8A(Ta) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 17.6m옴 @ 8A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 2.5V @ 250µA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 5.8nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 295pF @ 15V | |
전력 - 최대 | 2W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | 8-전력UDFN | |
공급 장치 패키지 | 6-HUML2020L8(2x2) | |
표준 포장 | 3,000 | |
다른 이름 | RF4E080GNTRTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RF4E080GNTR | |
관련 링크 | RF4E08, RF4E080GNTR 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
SMCG26A-M3/57T | TVS DIODE 26VWM 42.1VC DO-215AB | SMCG26A-M3/57T.pdf | ||
3361P-1-204G | 200k Ohm 0.5W, 1/2W Gull Wing Surface Mount Trimmer Potentiometer Cermet 1 Turn Top Adjustment | 3361P-1-204G.pdf | ||
CPF0805B9R76E1 | RES SMD 9.76 OHM 0.1% 1/10W 0805 | CPF0805B9R76E1.pdf | ||
Y5076V0003QQ0L | RES NTWRK 2 RES MULT OHM RADIAL | Y5076V0003QQ0L.pdf | ||
PMB5645RV1.2 | PMB5645RV1.2 INFINEON SSOP | PMB5645RV1.2.pdf | ||
ESA05A15TF | ESA05A15TF NIHON TO-252 | ESA05A15TF.pdf | ||
1SR154-400 TE25(14) | 1SR154-400 TE25(14) ROHM SMA | 1SR154-400 TE25(14).pdf | ||
UP025B104K-A-BZ | UP025B104K-A-BZ TAIYO AXIAL | UP025B104K-A-BZ.pdf | ||
RIAQ24B330J | RIAQ24B330J ORIGINAL SMD or Through Hole | RIAQ24B330J.pdf | ||
LD8104PS. | LD8104PS. LEADTREND SOP16 | LD8104PS..pdf | ||
1T363A-05-T8B | 1T363A-05-T8B SONY SOD323 | 1T363A-05-T8B.pdf | ||
MXF2525DR150T001 | MXF2525DR150T001 TDK SOD-123 | MXF2525DR150T001.pdf |