창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RDN150N20FU6 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RDN150N20 | |
| 주요제품 | MOSFET ECOMOS | |
| 카탈로그 페이지 | 1633 (KR2011-KO PDF) | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 벌크 | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 200V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 15A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | 160m옴 @ 7.5A, 10V | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | 4V @ 1mA | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | 64nC(10V) | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 1224pF @ 10V | |
| 전력 - 최대 | 40W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 스루홀 | |
| 패키지/케이스 | TO-220-3 풀팩(Full Pack) | |
| 공급 장치 패키지 | TO-220FN | |
| 표준 포장 | 500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RDN150N20FU6 | |
| 관련 링크 | RDN150N, RDN150N20FU6 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
| UVY1HR33MDD1TD | 0.33µF 50V Aluminum Capacitors Radial, Can 1000 Hrs @ 105°C | UVY1HR33MDD1TD.pdf | ||
![]() | MKP1V160G | SIDAC 150-170V 900MA AXIAL | MKP1V160G.pdf | |
![]() | RMCP2010FT2M43 | RES SMD 2.43M OHM 1% 1W 2010 | RMCP2010FT2M43.pdf | |
![]() | QMV422-1BF5 | QMV422-1BF5 NQRTEL QFP | QMV422-1BF5.pdf | |
![]() | L4931A35 | L4931A35 ST SOP8 | L4931A35.pdf | |
![]() | PSB45030P | PSB45030P SIE DIP | PSB45030P.pdf | |
![]() | SBA50-04 | SBA50-04 SY SMD or Through Hole | SBA50-04.pdf | |
![]() | RCP30 | RCP30 AKI N A | RCP30.pdf | |
![]() | KBJ1010G | KBJ1010G ORIGINAL SMD or Through Hole | KBJ1010G.pdf | |
![]() | Bt8040KP/11935-23 | Bt8040KP/11935-23 BT DIP | Bt8040KP/11935-23.pdf | |
![]() | 2SC4966 | 2SC4966 HITACHI SOT-23 | 2SC4966.pdf | |
![]() | MAX485ESATR | MAX485ESATR MAX SMD or Through Hole | MAX485ESATR.pdf |