창고: HONGKONG
								날짜 코드: 최신 Date Code
								제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RDD020N60TL | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RDD020N60 | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | FET - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 새 설계에 권장하지 않음(NRND) | |
| FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
| FET 특징 | 표준 | |
| 드레인 - 소스 전압(Vdss) | 600V | |
| 전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 2A(Ta) | |
| Rds On(최대) @ Id, Vgs | - | |
| Id 기준 Vgs(th)(최대) | - | |
| 게이트 전하(Qg) @ Vgs | - | |
| 입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | - | |
| 전력 - 최대 | 20W | |
| 작동 온도 | 150°C(TJ) | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | TO-252-3, DPak(2리드(lead)+탭), SC-63 | |
| 공급 장치 패키지 | CPT3 | |
| 표준 포장 | 2,500 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RDD020N60TL | |
| 관련 링크 | RDD020, RDD020N60TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
| -7.00-mm-x-5.00-mm.jpg) | DSC1124NL2-100.0000T | 100MHz HCSL MEMS (Silicon) Oscillator Surface Mount 2.25 V ~ 3.6 V 42mA Enable/Disable | DSC1124NL2-100.0000T.pdf | |
|  | TS652I | TS652I ST 50TUBE | TS652I.pdf | |
|  | MAX4474EUA | MAX4474EUA MAX SMD or Through Hole | MAX4474EUA.pdf | |
|  | PAT1010-X-04DB-C-C | PAT1010-X-04DB-C-C CYNTEC 4DB | PAT1010-X-04DB-C-C.pdf | |
|  | 54ACTQ373DMQB | 54ACTQ373DMQB NS CDIP | 54ACTQ373DMQB.pdf | |
|  | GF1K-E3 | GF1K-E3 VISHAY DO-214AA | GF1K-E3.pdf | |
|  | NA.BV.198A100/4A | NA.BV.198A100/4A ORIGINAL DIP | NA.BV.198A100/4A.pdf | |
|  | A80486DX2SA66 SX911 | A80486DX2SA66 SX911 INTEL SMD or Through Hole | A80486DX2SA66 SX911.pdf | |
|  | FMA246 | FMA246 RFMD SMD or Through Hole | FMA246.pdf | |
|  | XS101CRDZ | XS101CRDZ AD SOP-8 | XS101CRDZ.pdf | |
|  | B82111E0000C023 | B82111E0000C023 EPCOS ROhS2kma | B82111E0000C023.pdf |