창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
내부 부품 번호 | EIS-RCJ510N25TL | |
무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
규격서 | RCJ510N25 | |
종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
제품군 | FET - 단일 | |
제조업체 | Rohm Semiconductor | |
계열 | - | |
포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
부품 현황 | 유효 | |
FET 유형 | MOSFET N-Chan, 금속 산화물 | |
FET 특징 | 표준 | |
드레인 - 소스 전압(Vdss) | 250V | |
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C | 51A(Tc) | |
Rds On(최대) @ Id, Vgs | 65m옴 @ 25.5A, 10V | |
Id 기준 Vgs(th)(최대) | 5V @ 1mA | |
게이트 전하(Qg) @ Vgs | 120nC(10V) | |
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds | 7000pF @ 25V | |
전력 - 최대 | 1.56W | |
작동 온도 | 150°C(TJ) | |
실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
패키지/케이스 | SC-83 | |
공급 장치 패키지 | LPTS | |
표준 포장 | 1,000 | |
다른 이름 | RCJ510N25TLTR | |
무게 | 0.001 KG | |
신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
대체 부품 (교체) | RCJ510N25TL | |
관련 링크 | RCJ510, RCJ510N25TL 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 |
VS-15AWL06FNTR-M3 | DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK | VS-15AWL06FNTR-M3.pdf | ||
SLF12575T-151M1R5-H | 150µH Shielded Wirewound Inductor 1.5A 210 mOhm Max Nonstandard | SLF12575T-151M1R5-H.pdf | ||
EXB-Q16P332J | RES ARRAY 15 RES 3.3K OHM 1506 | EXB-Q16P332J.pdf | ||
CA258TX | CA258TX HAR/RCA SMD or Through Hole | CA258TX.pdf | ||
HFCN-1200 | HFCN-1200 MINI SMD or Through Hole | HFCN-1200.pdf | ||
RTS015-4 | RTS015-4 REALTEK DIP-16 | RTS015-4.pdf | ||
ECQV1H105JL2 | ECQV1H105JL2 ORIGINAL SMD or Through Hole | ECQV1H105JL2.pdf | ||
ELL6GG2R2M | ELL6GG2R2M PANASONIC SMD | ELL6GG2R2M.pdf | ||
EMQK99476051 | EMQK99476051 ORIGINAL DIP-20 | EMQK99476051.pdf | ||
D-500-0455-2-612-078 | D-500-0455-2-612-078 ORIGINAL SMD or Through Hole | D-500-0455-2-612-078.pdf | ||
MAAMSS0050 | MAAMSS0050 ORIGINAL SMD or Through Hole | MAAMSS0050.pdf | ||
TG-05 | TG-05 ORIGINAL SMD or Through Hole | TG-05.pdf |