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Rohm Semiconductor RCJ081N20TL

RCJ081N20TL
제조업체 부품 번호
RCJ081N20TL
제조업 자
제품 카테고리
FET - 단일
간단한 설명
MOSFET N-CH 200V 8A LPT
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RCJ081N20TL 매개 변수
내부 부품 번호EIS-RCJ081N20TL
무연 여부 / RoHS 준수 여부무연 / RoHS 준수
수분 민감도 레벨(MSL)1(무제한)
생산 현황 (라이프 사이클)생산 중
지위새로운, 원래는 봉인
규격서RCJ081N20
종류이산 소자 반도체 제품
제품군FET - 단일
제조업체Rohm Semiconductor
계열-
포장테이프 및 릴(TR)
부품 현황유효
FET 유형MOSFET N-Chan, 금속 산화물
FET 특징표준
드레인 - 소스 전압(Vdss)200V
전류 - 연속 드레인(Id) @ 25°C8A(Tc)
Rds On(최대) @ Id, Vgs770m옴 @ 4A, 10V
Id 기준 Vgs(th)(최대)5.25V @ 1mA
게이트 전하(Qg) @ Vgs8.5nC(10V)
입력 정전 용량(Ciss) @ Vds330pF @ 25V
전력 - 최대1.56W
작동 온도150°C(TJ)
실장 유형표면실장(SMD, SMT)
패키지/케이스SC-83
공급 장치 패키지LPTS(SC-83)
표준 포장 1,000
다른 이름RCJ081N20TLTR
무게0.001 KG
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대체 부품 (교체)RCJ081N20TL
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