창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RB521S30T5G | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RB521S30TxG, NSVRB521S30T1G | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | ON Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 200mA(DC) | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 380mV @ 1A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 410µA @ 30V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | SC-79, SOD-523 | |
| 공급 장치 패키지 | SOD-523 | |
| 작동 온도 - 접합 | -55°C ~ 125°C | |
| 표준 포장 | 8,000 | |
| 다른 이름 | RB521S30T5G-ND RB521S30T5GOSTR | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RB521S30T5G | |
| 관련 링크 | RB521S, RB521S30T5G 데이터 시트, ON Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | FA18C0G2A272JNU06 | 2700pF 100V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 방사 0.157" L x 0.098" W(4.00mm x 2.50mm) | FA18C0G2A272JNU06.pdf | |
![]() | SA102A5R6DAC | 5.6pF 200V 세라믹 커패시터 C0G, NP0 축방향 0.100" Dia x 0.170" L(2.54mm x 4.32mm) | SA102A5R6DAC.pdf | |
![]() | 7B25000021 | 25MHz ±20ppm 수정 8pF -20°C ~ 70°C 표면실장(SMD, SMT) 4-SMD, 무연(DFN, LCC) | 7B25000021.pdf | |
![]() | SIT8008AC-32-33E-100.000000T | OSC XO 3.3V 100MHZ OE | SIT8008AC-32-33E-100.000000T.pdf | |
![]() | RT0805WRD07165KL | RES SMD 165K OHM 0.05% 1/8W 0805 | RT0805WRD07165KL.pdf | |
![]() | Q4M0JXE115125050LF | Q4M0JXE115125050LF jauch SMD or Through Hole | Q4M0JXE115125050LF.pdf | |
![]() | 47C860NP177 | 47C860NP177 OWWX-O DIP64 | 47C860NP177.pdf | |
![]() | 4CE82BJ | 4CE82BJ SANYO SMD-2 | 4CE82BJ.pdf | |
![]() | ATMELH942-64L | ATMELH942-64L ATMEL SOP-8 | ATMELH942-64L.pdf | |
![]() | BTA41-400A | BTA41-400A ST TO-220 | BTA41-400A.pdf | |
![]() | 1SS220/A13 | 1SS220/A13 NEC SMD or Through Hole | 1SS220/A13.pdf | |
![]() | FB2500 | FB2500 FAGOR SMD or Through Hole | FB2500.pdf |