창고: HONGKONG
날짜 코드: 최신 Date Code
제조업체 표준 리드 타임: 6 주
| 내부 부품 번호 | EIS-RB080L-30TE25 | |
| 무연 여부 / RoHS 준수 여부 | 무연 / RoHS 준수 | |
| 수분 민감도 레벨(MSL) | 1(무제한) | |
| 생산 현황 (라이프 사이클) | 생산 중 | |
| 지위 | 새로운, 원래는 봉인 | |
| 규격서 | RB080L-30 | |
| 주요제품 | Fast Recovery Diodes | |
| 종류 | 이산 소자 반도체 제품 | |
| 제품군 | 다이오드, 정류기 - 단일 | |
| 제조업체 | Rohm Semiconductor | |
| 계열 | - | |
| 포장 | 테이프 및 릴(TR) | |
| 부품 현황 | 유효 | |
| 다이오드 유형 | 쇼트키 | |
| 전압 - DC 역방향(Vr)(최대) | 30V | |
| 전류 -평균 정류(Io) | 5A | |
| 전압 - 순방향(Vf)(최대) @ If | 510mV @ 5A | |
| 속도 | 고속 회복 =< 500 ns, > 200mA(Io) | |
| 역회복 시간(trr) | - | |
| 전류 - 역누설 @ Vr | 150µA @ 30V | |
| 정전 용량 @ Vr, F | - | |
| 실장 유형 | 표면실장(SMD, SMT) | |
| 패키지/케이스 | DO-214AC, SMA | |
| 공급 장치 패키지 | PMDS | |
| 작동 온도 - 접합 | 150°C(최대) | |
| 표준 포장 | 1,500 | |
| 다른 이름 | RB080L-30TE25TR RB080L30TE25 | |
| 무게 | 0.001 KG | |
| 신청 | 자세한 내용은 이메일 | |
| 대체 부품 (교체) | RB080L-30TE25 | |
| 관련 링크 | RB080L-, RB080L-30TE25 데이터 시트, Rohm Semiconductor 에이전트 유통 | |
![]() | 337LMX450M2EF | ELECTROLYTIC | 337LMX450M2EF.pdf | |
![]() | RCP0603B82R0JS2 | RES SMD 82 OHM 5% 3.9W 0603 | RCP0603B82R0JS2.pdf | |
![]() | MB39A120APFV-G-BND-ERE1 | MB39A120APFV-G-BND-ERE1 FUJ SSOP | MB39A120APFV-G-BND-ERE1.pdf | |
![]() | 1206-150 | 1206-150 ORIGINAL SMD or Through Hole | 1206-150.pdf | |
![]() | GF-GO7400A-N-A3 | GF-GO7400A-N-A3 NVIDIA BGA | GF-GO7400A-N-A3.pdf | |
![]() | TC74VHC123AF-EL | TC74VHC123AF-EL SOP TOSHIBA | TC74VHC123AF-EL.pdf | |
![]() | 75L6P41.M4 | 75L6P41.M4 TOSHIBA SMD or Through Hole | 75L6P41.M4.pdf | |
![]() | MAX8882EUTGG | MAX8882EUTGG MAX Call | MAX8882EUTGG.pdf | |
![]() | IR1A4F | IR1A4F IR BGA | IR1A4F.pdf | |
![]() | LM3713XQBP308 | LM3713XQBP308 nsc SMD | LM3713XQBP308.pdf |